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Hot News 三星電子搶先TSMC 開始量產3nm 制程晶片 @ 2022-07-02T16: Back Hot News Keyword：三星 量產 奈米 台積電 Concept：台積電三星宣布 , 奈米制程晶片開始量產 面對三星領先量產３奈米晶片，台積電向來不評論競爭對手。台積電規劃，３奈米下半年開始量產，采用與三星不同的鰭式場效電晶體（ＦＩＮＦＥＴ）架構。 南韓三星電子３０日宣布在華城的工廠正式開始量產「３奈米晶片」，超越台積電，成為全球第一間達到此里程碑的半導體工廠。三星指出，跟先前的５奈米制程相比，其第一代３奈米制程用電減少４５％，性能提升２３％，晶片表面積縮小１６％；預計接下來的第二代３奈米制程，最高將可省電５０％，性能提高３０％，晶片面積則將減少３５％。 【時報-台北電】韓國三星電子６月３０日正式宣布新一代環繞閘極電晶體（ＧＡＡ）架構的３奈米制程進入量產階段，號稱是全球第一家３奈米進入生產的晶圓代工廠，不過市場預期三星的產能規模仍無法追上競爭對手台積電。台積電仍維持３奈米下半年進入量產預期，業界推估第四季投片規模可望超過１萬片，包括高通、蘋果、英特爾等都是主要客戶。 三星宣布開始量產ＧＡＡ架構３奈米制程，但未公布首發客戶及產能規劃，外電報導客戶包括中國虛擬貨幣挖礦機晶片廠上海磐矽半導體及手機晶片大廠高通，但高通會視情況進行投片。三星指出，３奈米采用多橋通道場效電晶體（ＭＢＣＦＥＴ）的ＧＡＡ專利技術，突破鰭式場效電晶體（ＦＩＮＦＥＴ）架構性能限制，能以更高效能及更小晶片尺寸來實現更佳的功耗表現。 三星指出，與５奈米制程相較，此次量產的第一代３奈米制程，能縮小晶片尺寸面積１６％、性能提升２３％，功耗降低４５％。至於第二代３奈米制程可縮小晶片尺寸３５％、性能提高３０％、功耗降低５０％，預期會在２０２３年進入量產。三星２奈米會延續采用ＭＢＣＦＥＴ技術，預計將於２０２５年進入量產。 不過，三星在２０２１年晶圓代工論壇中指出，與５奈米相較，ＧＡＡ架 根據韓國媒體《ＢＵＳＩＮＥＳＳＫＯＲＥＡ》表示，三星將於本周搶先台積電量產３奈米制程，並已取得客戶訂單。專家認為，這是三星經常玩的宣傳手法，且三星３奈米還是比較接近台積的５奈米制程，對台積電還不構成威脅。 台積電競爭對手三星今(３０)日宣布，已經開始量產ＧＡＡ架構的３奈米制程，成為全球首家量產３奈米制程的晶圓代工廠商，分析師估計陸企有望成為首批客戶。台積電今日股價回測４８０元整數關卡，早盤一度下跌１５元觸及４７６元，創下逾一年半新低。 如果消息為真，三星將搶先台積電和英特爾量產 ３ 奈米晶片，台積電計劃下半年才開始量產 ３ 奈米晶片，英特爾則預計明年下半年才開始。 三星積極爭搶晶圓代工市場版圖，為彎道超車勁敵台積電，決定在３奈米搶先采用環繞閘極（ＧＡＡ）架構，並趕在台積電３奈米下半年量產前，於上半年的最後一天宣布３奈米ＧＡＡ技術量產。台積電對此並無評論。 面對三星積極追趕，台積電積極應戰，內部擬定３奈米下半年量產之余，也著手布局更先進的２奈米制程。台積電規劃，２奈米制程目標在相同功耗下，較３奈米速度快１０％至１５％，若在相同速度下，功耗降低２５％至３０％，主要應用包含行動運算、高效能版本，以及完備的小晶片整合解決方案，預計２０２５年開始量產。 市調機構 ＴＲＥＮＤＦＯＲＣＥ 集邦科技統計，２０２２ 年的第一季全球晶圓代工市占率，台積電以 ５３．６％ 高居第一，三星則以 １６．３％ 位居第二，三星在 ３ 奈米率先宣布量產，可能是希望以此拉近與台積電的距離，另外三星也計畫在 ２０２５ 年以 ＧＡＡ 技術生產 ２ 奈米晶片，而台積電則計劃在今年下半，進入 ３ 奈米制程量產。 在此之前，三星電子與台積電的最尖端制程皆為４奈米，台積電先前表示，將在今年下半年開始３奈米制程量產。三星電子繼這次３奈米制程投入量產後，規劃在２０２５年投入ＧＡＡ架構的２奈米制程。 三星電子昨 (３０) 日宣布開始量產 ３ 奈米晶片，成為首家導入 ３ 奈米 ＧＡＡ(環繞閘極技術) 的公司，與台積電 (２３３０-ＴＷ)(ＴＳＭ-ＵＳ) 在先進制程上的競爭趨於白熱化，不過，業界指出，ＧＡＡ 架構技術復雜、價格相對高昂，台積電采用 ＦＩＮＦＥＴ 技術量產 ３ 奈米將較具競爭力，除良率外，從客戶關系、生態系等各面向來看，三星短期要超車台積電，仍沒有那麼容易。閱讀全文．．． 法人強調，台積電在建置３奈米廠能時多與客戶達成協議，以符合客戶需求，有多少客戶才會蓋多大的廠，台積電真正量產時也代表客戶已有產品生產中。目前市場傳出台積電３奈米客戶包括有蘋果、聯發科及ＮＶＩＤＩＡ及ＡＭＤ等大客戶，三星３奈米則尚未有傳出知名大客戶已下單情況。（財經中心／台北報導） 台積電（２３３０）（２３３０）今（３０）日股價回測４８０元整數關卡，早盤來到４８０．５元，再創波段新低。台積電３奈米將於下半年量產，不過近期三星晶圓代工３奈米提早量產消息頻傳，三星今日正式發布新聞稿宣布３奈米量產進展。 台經院產經資料庫總監劉佩真：「不過我們可以觀察到三星其實原先是預計在２０２２年的上半年就會宣布量產三奈米ＧＡＡ的制程，但是這樣的時程是拖到六月底最後一天，目前三奈米制程它的良率表現是如何，那麼再加上目前三星在三奈米制程，並沒有三星以外的其他的大客戶來下單。」 三星電子昨（６/３０）日宣布量產ＧＡＡ技術３奈米制程，搶先台積電和英特爾成為全球第一家量產３奈米制程的晶圓廠。為了確保半導體供應穩定，三星少主李在鎔和總統尹錫悅相繼出訪歐洲與荷蘭總理及半導體設備龍頭艾司摩爾（ＡＳＭＬ）會面，就半導體產業技術合作進行討論。 姑且不論三星３奈米和台積３奈米架構差異，三星和台積電最大差異仍在商業模式。台積電具有不和客戶競爭且規模最大、品質最穩定的優勢，生產開發都是配合客戶要求與需求。三星的整合元件制造廠（ＩＤＭ）模式雖然和自家晶圓代工客戶競爭，但以「一條龍」服務讓自家３奈米爭取到先練兵的時間與機會。 ２． 三星電子前曾公布稱，將在今年上半年量產ＧＡＡ ３奈米制程晶片，２０２３年推出第２代３奈米晶片，２０２５年量產２奈米晶片。上(５)月２０日美國總統拜登和尹錫悅總統訪問三星電子平澤工廠時，三星就曾介紹３奈米晶片之晶圓片，雙方領袖並在３奈米晶圓片試制品上簽名。３． 稍早三星電子副董事長李在鎔赴歐洲出差與荷蘭半導體設備制造商ＡＳＭＬ首席執行長見面，展現三星對搶占超精細工藝市場的重視。ＡＳＭＬ是儲存晶片和晶圓代工精細加工制程所需的極紫外線光刻機(ＥＵＶ)唯一供應商。當時李在鎔在出差回國路上表示:「第一是技術，第二也是技術，第三還是技術」。４． 目前半導體制程普遍采用鰭式場效電晶體（ＦＩＮＦＥＴ）技術，惟此技術在４奈米以下制程中存在局限性。三星投資研發２０年以上的ＧＡＡ技術使用四面環閘結構，可更好地控制電流走向，提高耗電效率。因此，ＧＡＡ技術被視為人工智能(ＡＩ)和大數據等對高性能、低功耗所需新一代晶片的核心技術。５． 晶圓代工市場領頭羊台積電(ＴＳＭＣ)表示，計劃今年年底量產的３奈米晶片仍使用現有ＦＩＮＦＥＴ技術，計劃２０２５年上半年從２奈米制程開始使用ＧＡＡ技術。

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