熱門新聞 @ 中芯國際突破美國制裁

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美聯儲賬面虧損 突破2000億美元 @ 2024-10-07T00:
美國聯儲局數據顯示,局方賬面虧損突破2000億美元。美聯儲周三公布其向財政部匯報的利潤水平為負2,012億美元。路透指出,數據只反映聯儲局賬面損.
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概念:
美國聯准會赤字6兆 3天舉債11 兆華府智庫嚇壞 @ 2024-10-06T
美國聯准會(FED)周四(3)發布的數據,聯准會的虧損已突破2000億美元(約新台幣6.4兆)。而國債方面過去3天聯邦政府再度舉債3450億美元(約新台幣11兆),來到35.7兆美元(約新...
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概念:美國聯准會帳面虧損突破 , 億美元大關
美國聯儲局虧蝕1.57萬億元?系咪好大鑊? @ 2024-10-05T
外媒引述美國聯儲局周四(3日)公布數據,截至周三(2日)向財政部匯出的帳面損失已達2012億美元(約1.57萬億港元)...
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概念:美國聯准會帳面虧損突破 , 億美元大關
突破歐美圍堵!中國晶片公司取得 7 納米或以下晶片關鍵技術 @ 2024-09-23T
近年美國禁止中國輸入關鍵晶片及最先進的光刻機等晶片制作工具,被中國視為是歐美在科技上的圍堵。最近中國上海微電子設備(集團)股份有限公司(SMEE),...
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概念:納米晶片光刻技術
工信部印發《首台(套)重大技術裝備推廣應用指導目錄(2024年版)》0.0經濟·科技0.0人民網 @ 2024-09-23T
人民網北京9月15日電(方經綸)據工業和信息化部官網消息,為促進首台(套)重大技術裝備創新發展和推廣應用,加強產業、財政、金融、科技等國家支持政策的...
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概念:中國晶片研發技術突破 , 納米下晶片
緊追ASML腳步?!中國自研DUV曝光機的「虛實」 @ 2024-09-22T
中國網友近來熱議中國工信部披露的新款本土深紫外光(DUV)曝光機的消息,一時之間,謠傳中國已開發出8奈米曝光機,甚囂塵上。究竟事實為何?
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概念:中國晶片研發
申請專利:中國7納米晶片光刻技術取得突破 @ 2024-09-22T
中國在先進晶片制造領域正逐漸縮小與西方的差距。位於上海的微電子裝備(集團)股份有限公司公布了一系列制造7納米及以下晶片關鍵能力的專利。
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概念:中國晶片研發技術突破 , 納米下晶片
中國政府宣布國產光刻機取得重大進展 @ 2024-09-19T
中國晶片相關股票飆升,先前中國政府宣布中國本土企業在開發先進晶片制造設備方面已取得進展;中國為減輕美國主導的制裁舉措的影響做出了持續的努力,...
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概念:中國晶片研發技術突破 , 納米下晶片
申請專利:中國7納米晶片光刻技術取得突破 @ 2024-09-19T
中國在先進晶片制造領域正逐漸縮小與西方的差距。位於上海的微電子裝備(集團)股份有限公司公布了一系列制造7納米及以下晶片關鍵能力的專利。
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概念:納米晶片光刻技術 , 中國可生產
中國晶片研發技術突破至7奈米?專家不認同| 兩岸 @ 2024-09-19T
中國晶片研發技術突破的相關消息近期獲得關注,傳言稱中國可生產8奈米及以下晶片,也有企業申請極紫外光(EUV)設備專利。有專家認為這樣的說法有待商榷,...
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概念:晶片光刻技術 , 納米下晶片
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