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三星电子抢先TSMC 开始量产3nm 制程晶片 @ 2022-07-02T16: 返回 新闻热点
关键词：三星 量产 奈米 台积电
概念：台积电三星宣布 , 奈米制程晶片开始量产
面对三星领先量产３奈米晶片，台积电向来不评论竞争对手。台积电规划，３奈米下半年开始量产，采用与三星不同的鳍式场效电晶体（ＦＩＮＦＥＴ）架构。
南韩三星电子３０日宣布在华城的工厂正式开始量产“３奈米晶片”，超越台积电，成为全球第一间达到此里程碑的半导体工厂。三星指出，跟先前的５奈米制程相比，其第一代３奈米制程用电减少４５％，性能提升２３％，晶片表面积缩小１６％；预计接下来的第二代３奈米制程，最高将可省电５０％，性能提高３０％，晶片面积则将减少３５％。
【时报-台北电】韩国三星电子６月３０日正式宣布新一代环绕闸极电晶体（ＧＡＡ）架构的３奈米制程进入量产阶段，号称是全球第一家３奈米进入生产的晶圆代工厂，不过市场预期三星的产能规模仍无法追上竞争对手台积电。台积电仍维持３奈米下半年进入量产预期，业界推估第四季投片规模可望超过１万片，包括高通、苹果、英特尔等都是主要客户。 三星宣布开始量产ＧＡＡ架构３奈米制程，但未公布首发客户及产能规划，外电报导客户包括中国虚拟货币挖矿机晶片厂上海磐矽半导体及手机晶片大厂高通，但高通会视情况进行投片。三星指出，３奈米采用多桥通道场效电晶体（ＭＢＣＦＥＴ）的ＧＡＡ专利技术，突破鳍式场效电晶体（ＦＩＮＦＥＴ）架构性能限制，能以更高效能及更小晶片尺寸来实现更佳的功耗表现。 三星指出，与５奈米制程相较，此次量产的第一代３奈米制程，能缩小晶片尺寸面积１６％、性能提升２３％，功耗降低４５％。至于第二代３奈米制程可缩小晶片尺寸３５％、性能提高３０％、功耗降低５０％，预期会在２０２３年进入量产。三星２奈米会延续采用ＭＢＣＦＥＴ技术，预计将于２０２５年进入量产。 不过，三星在２０２１年晶圆代工论坛中指出，与５奈米相较，ＧＡＡ架
根据韩国媒体《ＢＵＳＩＮＥＳＳＫＯＲＥＡ》表示，三星将于本周抢先台积电量产３奈米制程，并已取得客户订单。专家认为，这是三星经常玩的宣传手法，且三星３奈米还是比较接近台积的５奈米制程，对台积电还不构成威胁。
台积电竞争对手三星今(３０)日宣布，已经开始量产ＧＡＡ架构的３奈米制程，成为全球首家量产３奈米制程的晶圆代工厂商，分析师估计陆企有望成为首批客户。台积电今日股价回测４８０元整数关卡，早盘一度下跌１５元触及４７６元，创下逾一年半新低。
如果消息为真，三星将抢先台积电和英特尔量产 ３ 奈米晶片，台积电计划下半年才开始量产 ３ 奈米晶片，英特尔则预计明年下半年才开始。
三星积极争抢晶圆代工市场版图，为弯道超车劲敌台积电，决定在３奈米抢先采用环绕闸极（ＧＡＡ）架构，并赶在台积电３奈米下半年量产前，于上半年的最后一天宣布３奈米ＧＡＡ技术量产。台积电对此并无评论。
面对三星积极追赶，台积电积极应战，内部拟定３奈米下半年量产之余，也着手布局更先进的２奈米制程。台积电规划，２奈米制程目标在相同功耗下，较３奈米速度快１０％至１５％，若在相同速度下，功耗降低２５％至３０％，主要应用包含行动运算、高效能版本，以及完备的小晶片整合解决方案，预计２０２５年开始量产。
市调机构 ＴＲＥＮＤＦＯＲＣＥ 集邦科技统计，２０２２ 年的第一季全球晶圆代工市占率，台积电以 ５３．６％ 高居第一，三星则以 １６．３％ 位居第二，三星在 ３ 奈米率先宣布量产，可能是希望以此拉近与台积电的距离，另外三星也计画在 ２０２５ 年以 ＧＡＡ 技术生产 ２ 奈米晶片，而台积电则计划在今年下半，进入 ３ 奈米制程量产。
在此之前，三星电子与台积电的最尖端制程皆为４奈米，台积电先前表示，将在今年下半年开始３奈米制程量产。三星电子继这次３奈米制程投入量产后，规划在２０２５年投入ＧＡＡ架构的２奈米制程。
三星电子昨 (３０) 日宣布开始量产 ３ 奈米晶片，成为首家导入 ３ 奈米 ＧＡＡ(环绕闸极技术) 的公司，与台积电 (２３３０-ＴＷ)(ＴＳＭ-ＵＳ) 在先进制程上的竞争趋于白热化，不过，业界指出，ＧＡＡ 架构技术复杂、价格相对高昂，台积电采用 ＦＩＮＦＥＴ 技术量产 ３ 奈米将较具竞争力，除良率外，从客户关系、生态系等各面向来看，三星短期要超车台积电，仍没有那么容易。阅读全文．．．
法人强调，台积电在建置３奈米厂能时多与客户达成协议，以符合客户需求，有多少客户才会盖多大的厂，台积电真正量产时也代表客户已有产品生产中。目前市场传出台积电３奈米客户包括有苹果、联发科及ＮＶＩＤＩＡ及ＡＭＤ等大客户，三星３奈米则尚未有传出知名大客户已下单情况。（财经中心／台北报导）
台积电（２３３０）（２３３０）今（３０）日股价回测４８０元整数关卡，早盘来到４８０．５元，再创波段新低。台积电３奈米将于下半年量产，不过近期三星晶圆代工３奈米提早量产消息频传，三星今日正式发布新闻稿宣布３奈米量产进展。
台经院产经资料库总监刘佩真：“不过我们可以观察到三星其实原先是预计在２０２２年的上半年就会宣布量产三奈米ＧＡＡ的制程，但是这样的时程是拖到六月底最后一天，目前三奈米制程它的良率表现是如何，那么再加上目前三星在三奈米制程，并没有三星以外的其他的大客户来下单。”
三星电子昨（６/３０）日宣布量产ＧＡＡ技术３奈米制程，抢先台积电和英特尔成为全球第一家量产３奈米制程的晶圆厂。为了确保半导体供应稳定，三星少主李在镕和总统尹锡悦相继出访欧洲与荷兰总理及半导体设备龙头艾司摩尔（ＡＳＭＬ）会面，就半导体产业技术合作进行讨论。
姑且不论三星３奈米和台积３奈米架构差异，三星和台积电最大差异仍在商业模式。台积电具有不和客户竞争且规模最大、品质最稳定的优势，生产开发都是配合客户要求与需求。三星的整合元件制造厂（ＩＤＭ）模式虽然和自家晶圆代工客户竞争，但以“一条龙”服务让自家３奈米争取到先练兵的时间与机会。
２． 三星电子前曾公布称，将在今年上半年量产ＧＡＡ ３奈米制程晶片，２０２３年推出第２代３奈米晶片，２０２５年量产２奈米晶片。上(５)月２０日美国总统拜登和尹锡悦总统访问三星电子平泽工厂时，三星就曾介绍３奈米晶片之晶圆片，双方领袖并在３奈米晶圆片试制品上签名。３． 稍早三星电子副董事长李在镕赴欧洲出差与荷兰半导体设备制造商ＡＳＭＬ首席执行长见面，展现三星对抢占超精细工艺市场的重视。ＡＳＭＬ是储存晶片和晶圆代工精细加工制程所需的极紫外线光刻机(ＥＵＶ)唯一供应商。当时李在镕在出差回国路上表示:“第一是技术，第二也是技术，第三还是技术”。４． 目前半导体制程普遍采用鳍式场效电晶体（ＦＩＮＦＥＴ）技术，惟此技术在４奈米以下制程中存在局限性。三星投资研发２０年以上的ＧＡＡ技术使用四面环闸结构，可更好地控制电流走向，提高耗电效率。因此，ＧＡＡ技术被视为人工智能(ＡＩ)和大数据等对高性能、低功耗所需新一代晶片的核心技术。５． 晶圆代工市场领头羊台积电(ＴＳＭＣ)表示，计划今年年底量产的３奈米晶片仍使用现有ＦＩＮＦＥＴ技术，计划２０２５年上半年从２奈米制程开始使用ＧＡＡ技术。

 
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