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三星开始大规模生产最先进制程晶片 @ 2022-07-01T20: 返回 新闻热点 关键词：三星 量产 奈米 台积电 概念：奈米晶片量产 在美股４大指数收黑下，台股今（１）日终场下跌４８２．６５点，收在１４３４３．０８点，其中台积电股价更一度下杀至４５２．５元，终场收在４５３．５元，跌幅４．７３％，市场揣测与传出库存水位过高，台积电３大客户包括苹果、超微（ＡＭＤ）和辉达（ＮＶＩＤＩＡ）下修订单的利空消息也有关系。至于韩国半导体厂三星（ＳＡＭＳＵＮＧ）抢先宣布３奈米制程量产的影响，产业研究人员多认为宣传意义大于实质效果，并看好台积电３奈米下半年量产，法人也预期，三星短期难以撼动台积电在客户心中的首选地位。 面对三星领先量产３奈米晶片，台积电向来不评论竞争对手。台积电规划，３奈米下半年开始量产，采用与三星不同的鳍式场效电晶体（ＦＩＮＦＥＴ）架构。 南韩三星电子３０日宣布在华城的工厂正式开始量产“３奈米晶片”，超越台积电，成为全球第一间达到此里程碑的半导体工厂。三星指出，跟先前的５奈米制程相比，其第一代３奈米制程用电减少４５％，性能提升２３％，晶片表面积缩小１６％；预计接下来的第二代３奈米制程，最高将可省电５０％，性能提高３０％，晶片面积则将减少３５％。 【财讯快报／陈孟朔】韩企一哥三星电子有限公司(００５９３０．ＫＳ)周四宣布，已经开始大规模生产先进的３奈米晶片，成为全球首家采用这种先进技术的公司。三星正在寻找新的客户，以利在晶圆代工业务追赶竞争对手台湾台积电(２３３０)。 路透引述三星电子在声明中指出，与传统的５奈米晶片相比，新开发的第一代３奈米工艺可以节能４５％，提高２３％的性能，并减少１６％的面积。 公司没有透露其最新晶片的客户，分析师表示，预计三星本身和中国公司将成为首批客户。 三星晶圆代工业务主管ＳＩＹＯＵＮＧ ＣＨＯＩ说，“我们将继续在有竞争力的技术开发方面积极创新。 ” 虽然三星是第一个生产３奈米晶片的企业，但台积电计划在２０２５年实现２奈米的量产。 三星积极争抢晶圆代工市场版图，为弯道超车劲敌台积电，决定在３奈米抢先采用环绕闸极（ＧＡＡ）架构，并赶在台积电３奈米下半年量产前，于上半年的最后一天宣布３奈米ＧＡＡ技术量产。台积电对此并无评论。 面对三星积极追赶，台积电积极应战，内部拟定３奈米下半年量产之余，也着手布局更先进的２奈米制程。台积电规划，２奈米制程目标在相同功耗下，较３奈米速度快１０％至１５％，若在相同速度下，功耗降低２５％至３０％，主要应用包含行动运算、高效能版本，以及完备的小晶片整合解决方案，预计２０２５年开始量产。 如果消息为真，三星将抢先台积电和英特尔量产 ３ 奈米晶片，台积电计划下半年才开始量产 ３ 奈米晶片，英特尔则预计明年下半年才开始。 在此之前，三星电子与台积电的最尖端制程皆为４奈米，台积电先前表示，将在今年下半年开始３奈米制程量产。三星电子继这次３奈米制程投入量产后，规划在２０２５年投入ＧＡＡ架构的２奈米制程。 法人强调，台积电在建置３奈米厂能时多与客户达成协议，以符合客户需求，有多少客户才会盖多大的厂，台积电真正量产时也代表客户已有产品生产中。目前市场传出台积电３奈米客户包括有苹果、联发科及ＮＶＩＤＩＡ及ＡＭＤ等大客户，三星３奈米则尚未有传出知名大客户已下单情况。（财经中心／台北报导） 三星电子昨 (３０) 日宣布开始量产 ３ 奈米晶片，成为首家导入 ３ 奈米 ＧＡＡ(环绕闸极技术) 的公司，与台积电 (２３３０-ＴＷ)(ＴＳＭ-ＵＳ) 在先进制程上的竞争趋于白热化，不过，业界指出，ＧＡＡ 架构技术复杂、价格相对高昂，台积电采用 ＦＩＮＦＥＴ 技术量产 ３ 奈米将较具竞争力，除良率外，从客户关系、生态系等各面向来看，三星短期要超车台积电，仍没有那么容易。阅读全文．．． 台积电（２３３０）（２３３０）今（３０）日股价回测４８０元整数关卡，早盘来到４８０．５元，再创波段新低。台积电３奈米将于下半年量产，不过近期三星晶圆代工３奈米提早量产消息频传，三星今日正式发布新闻稿宣布３奈米量产进展。 姑且不论三星３奈米和台积３奈米架构差异，三星和台积电最大差异仍在商业模式。台积电具有不和客户竞争且规模最大、品质最稳定的优势，生产开发都是配合客户要求与需求。三星的整合元件制造厂（ＩＤＭ）模式虽然和自家晶圆代工客户竞争，但以“一条龙”服务让自家３奈米争取到先练兵的时间与机会。 ２． 三星电子前曾公布称，将在今年上半年量产ＧＡＡ ３奈米制程晶片，２０２３年推出第２代３奈米晶片，２０２５年量产２奈米晶片。上(５)月２０日美国总统拜登和尹锡悦总统访问三星电子平泽工厂时，三星就曾介绍３奈米晶片之晶圆片，双方领袖并在３奈米晶圆片试制品上签名。３． 稍早三星电子副董事长李在镕赴欧洲出差与荷兰半导体设备制造商ＡＳＭＬ首席执行长见面，展现三星对抢占超精细工艺市场的重视。ＡＳＭＬ是储存晶片和晶圆代工精细加工制程所需的极紫外线光刻机(ＥＵＶ)唯一供应商。当时李在镕在出差回国路上表示:“第一是技术，第二也是技术，第三还是技术”。４． 目前半导体制程普遍采用鳍式场效电晶体（ＦＩＮＦＥＴ）技术，惟此技术在４奈米以下制程中存在局限性。三星投资研发２０年以上的ＧＡＡ技术使用四面环闸结构，可更好地控制电流走向，提高耗电效率。因此，ＧＡＡ技术被视为人工智能(ＡＩ)和大数据等对高性能、低功耗所需新一代晶片的核心技术。５． 晶圆代工市场领头羊台积电(ＴＳＭＣ)表示，计划今年年底量产的３奈米晶片仍使用现有ＦＩＮＦＥＴ技术，计划２０２５年上半年从２奈米制程开始使用ＧＡＡ技术。 供应链最新传出，ＡＭＤ下修台积电７奈米、６奈米投片量约２~３万片/月；此外，辉达下一代采用５奈米制程生产的新品有可能将延后，目前时间表未定，推估至少会有一季，甚至可能延到２０２３年。在此之前，市场已传出原本表定第四季进入量产的ＩＮＴＥＬ 的 ＥＡＧＬＥ ＳＴＲＥＡＭ 架构处理器 ＳＡＰＰＨＩＲＥ ＲＡＰＩＤＳ 和 ＡＭＤ ＺＥＮ４ 架构处理器 ＧＥＮＯＡ ，将推迟到明年第一季放量。 台积电竞争对手三星今(３０)日宣布，已经开始量产ＧＡＡ架构的３奈米制程，成为全球首家量产３奈米制程的晶圆代工厂商，分析师估计陆企有望成为首批客户。台积电今日股价回测４８０元整数关卡，早盘一度下跌１５元触及４７６元，创下逾一年半新低。 不过值得注意的是，今年２月才传出 三星因４奈米良率不佳，迫使大客户高通将骁龙８ ＧＥＮ１ ＰＬＵＳ旗舰晶片转由台积电４奈米生产，且也传出高通采用 ３ 奈米制程的 ＡＰ(应用处理器)，也将全数转单至台积电；此次三星率先生产３奈米，韩媒爆出高通也是其中之一客户，但依韩媒报导，高通会视情况投片。 虽然三星先前重申今年上半年将量产 ３ 奈米制程，也传出明日将正式宣布量产，但根据韩媒报导，三星 ３ 奈米产量还很小，处于试产阶段，规模仍不足以达到量产。