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Samsung 公布基于 HKMG 技术的单条 512GB DDR5 记忆体 @ 2021-03-27T08: 返回 新闻热点
关键词:记忆体 三星 速度
概念:两倍效能 , 记忆体模组
Samsung 公布基于HKMG 技术的单条512GB DDR5 记忆体,速度能达到7200Mbps,是DDR4 的两倍多。
现代人越来越多数据需要储存,因此意味着需要更大的记忆体。Samsung 近日宣布推出业界首个基于High-K Metal Gate(HKMG)制程的512GB DDR5 模组, ...
Samsung发表了全新DDR5RAM记忆模组,当中512GBDDR5模组是全球首次采用HKMG(High-KMetalGate)技术,提供高达7200Mbps的速度,较DDR4RAM多 ...
Teamgroup的姊妹品牌T-Force Gaming在新闻稿中证实,他们已经开发出了首款拥有超频之元的消费级DDR5记忆体。随着我们接近Intel和AMD即将推出第一代 ...
三星宣布开发出业界首个DDR5记忆体模组,该模组拥有512GB的惊人容量。记忆体模组适合针对AI/ML,超级计算,分析,网路和其他数据密集型工作负载来做 ...
为以满足资料中心和人工智慧(AI)的需求成长,全球记忆体晶片龙头三星电子今年稍后将发表新一代记忆体晶片,为七年来首见。该...
三星于周四(3/25)发表了全球首个基于高介电质金属闸极(High-K Metal Gate,HKMG)制程技术的512GB DDR5记忆体模组,其最高效能为每秒7,200Mb, ...
记忆体模组厂十铨(4967-TW) 今(26) 日宣布,旗下T-FORCE 品牌成功打造出DDR5 超频记忆体,并已送样ASUS、ASRock、MSI、GIGABYTE 等四大板厂相关部门 ...
Chevelle.fu发布为Intel Sapphire Rapids 备战,三星宣布完成HKMG 技术的512GB DDR5 模组开发,留言0篇于2021-03-25 16:28: 模组是针对超算、 AI 与机器 ...
三星电子周四(25 日) 宣布新一代记忆体晶片计画,存取速度将在现有技术的基础上提高一倍,并提供迄今为止最大的容量,从而加速数据中心和超级电脑的转型。

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